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还在为高压开关应用的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STF8NM50N为您带来改变！这颗基于先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，是您实现高效能量控制的得力助手。它拥有500V的高耐压和5A的电流处理能力，能轻松应对开关电源、电机驱动等高压场景，其超低的导通电阻和栅极电荷，让您的系统开关更快、损耗更小、发热更低，直接提升整体能效。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的设计更简洁、运行更稳定。优异的动态性能和坚固性，确保了在频繁开关下的长期可靠性；TO-220FP封装兼顾了安装便利与散热需求。选择STF8NM50N，就是选择了一个让您事半功倍的高性能解决方案，助您轻松打造更具市场竞争力的产品。

• 型号:STF8NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:790 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:364 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF8NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。