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还在寻找一颗能扛起高压大梁、同时保持高效冷静的功率开关吗？STF8NK85Z正是您期待的答案。这颗基于先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有高达850V的击穿电压和6.7A的连续电流能力，专为应对严苛的高压开关应用而设计。

它能为您做什么？核心在于其卓越的性能参数：极低的导通电阻（Rds(on)）意味着更小的开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽；优化的栅极电荷（Qg）有助于实现更快的开关速度和更低的驱动损耗。无论是构建工业电源、UPS，还是高效照明方案，STF8NK85Z都能让您轻松实现高可靠性与高能效的完美平衡，简化您的设计挑战。

• 型号:STF8NK85Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 850V 6.7A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:850 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 3.35A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1870 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF8NK85Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。