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您正在寻找一颗能扛起大电流、压降却微乎其微的功率开关吗？STB95N4F3正是您的理想之选！这颗N沟道MOSFET拥有80A的连续电流承载能力，而导通电阻低至5.8毫欧，能极大程度减少导通损耗，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的STripFET III技术，具备优异的开关特性。仅需10V驱动电压即可实现超低阻抗，同时其栅极电荷极小，这让您能够轻松实现高速开关，有效提升系统整体频率与功率密度。无论是用于同步整流、DC-DC转换还是各类功率控制，它都能让您的设计性能脱颖而出，可靠性更上一层楼。

• 型号:STB95N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB95N4F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。