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还在寻找一颗能同时兼顾高功率输出与优异增益的射频放大核心？PD84008S-E正是您期待的答案。这颗来自ST意法半导体的N沟道射频功率MOSFET，专为870MHz频段优化，能为您轻松提供高达2W的稳定输出功率和16.2dB的卓越增益，显著提升您无线设备的信号覆盖范围和连接可靠性。

它采用先进的PowerSO-10封装，散热性能优异，让您的设计更紧凑、更高效。无论是驱动最后的功率放大级，还是作为关键的中继放大单元，PD84008S-E都能以7A的额定电流承载能力和25V的高耐压特性，确保系统在各种工况下稳定运行，让您专注于产品创新，无需为射频性能担忧。

• 型号:PD84008S-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET 7.5V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 通道
• 频率:870MHz
• 增益:16.2dB
• 电压 - 测试:7.5 V
• 额定电流（安培）:7A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:250 mA
• 功率 - 输出:2W
• 电压 - 额定:25 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
• PD84008S-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。