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您是否正在寻找一颗能在高压应用中兼顾高效能与高可靠性的“心脏”？STF7NM80正是为此而生。它基于ST先进的MDmesh技术，为您提供高达800V的击穿电压和6.5A的电流处理能力，让您的电源或电机驱动设计在面对高压冲击时稳如磐石。

这颗芯片的核心价值在于“高效转化”。其极低的导通电阻（典型值1.05欧姆）能显著减少导通损耗，而优化的栅极电荷则确保了快速的开关响应。这意味着，在您的开关电源或PFC电路中，它能帮助您轻松提升系统整体效率，降低温升，从而让产品运行更凉爽、更持久。选择STF7NM80，就是为您的设计注入一股强劲而高效的动力。

• 型号:STF7NM80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.05 欧姆 @ 3.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF7NM80，ST（意法半导体）产品一站式供应商。