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您是否正在寻找一颗能轻松驾驭900V高压平台，同时兼顾高效能与高可靠性的功率开关？STF6N90K5正是为您而来。这颗N沟道MOSFET基于先进的MDmesh K5技术打造，其核心价值在于让您的高压电源或电机驱动设计变得更简单、更强大。

它拥有高达900V的击穿电压和6A的连续电流能力，为您应对严苛的工业环境注入强大信心。更令人惊喜的是，其优化的动态特性与低至1.1欧姆的导通电阻，能显著降低开关损耗和导通损耗，直接提升您的系统整体效率。采用坚固的TO-220FP封装，散热性能优异，确保在-55°C到150°C的全温度范围内稳定工作，是您构建高效、紧凑、长寿命功率应用的理想基石。

• 型号:STF6N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 6A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF6N90K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。