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还在寻找一颗能兼顾高效率与高可靠性的中功率开关管吗？STF6N65M2正是您期待的解决方案。这颗采用ST先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有650V的高耐压和4A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通电阻与栅极电荷，能显著降低开关电源或电机驱动应用中的导通损耗和开关损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。

它能让您轻松应对PFC、反激式转换器、照明镇流器等设计挑战。优异的动态性能和TO-220FP封装确保了出色的散热能力与长期可靠性，工作温度横跨-55°C至150°C，适应各种严苛环境。选择STF6N65M2，就是为您的产品选择了一颗强劲、高效且值得信赖的“动力心脏”，助您快速实现高性能、高性价比的设计目标。

• 型号:STF6N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.35 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:226 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF6N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。