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您是否希望为您的电源或电机驱动项目找到一颗既能扛住高压冲击，又能保持高效冷静的“心脏”？STF14N80K5正是为此而生。这颗800V/12A的N沟道MOSFET，基于ST意法半导体引以为傲的MDmesh K5技术，能显著降低导通和开关损耗，让您的系统效率轻松提升。

它能让您在设计高压开关电源、逆变器或PFC电路时更加得心应手。优异的动态特性（低Qg和Ciss）确保了快速响应，而坚固的TO-220FP封装则提供了出色的散热能力，保障设备在严苛环境下长期稳定运行。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心动力。

• 型号:STF14N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:445 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF14N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。