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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时还能保持高效冷静的功率开关吗？STF6N65K3正是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET拥有650V的漏源电压和5.4A的连续漏极电流承载能力，专为应对严苛的功率转换挑战而设计。

它核心的SuperMESH3技术，为您带来了低至1.3欧姆的导通电阻（@10V），能显著降低导通损耗，提升整体能效。同时，优化的栅极电荷和电容特性让开关速度更快、损耗更低，驱动更轻松。无论是用于提升电源适配器的效率，还是确保电机驱动的稳定可靠，它都能让您的设计事半功倍，轻松实现高性能与高可靠性的完美平衡。

• 型号:STF6N65K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5.4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 2.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:880 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF6N65K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。