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您正在寻找一颗能显著提升电源效率、让设计更从容的功率开关管吗？STF6N60DM2正是为您而来。这颗基于意法半导体先进MDmesh DM2技术的N沟道MOSFET，拥有600V高耐压和5A电流能力，其核心价值在于极低的导通电阻与栅极电荷，能直接帮助您降低开关损耗和驱动损耗，从而轻松实现更高的系统能效和更优的散热表现。

它能让您的开关电源、PFC电路或电机驱动应用运行得更安静、更凉爽、更高效。优异的动态性能和坚固的TO-220FP封装，确保了在高频工作下的稳定性和长期可靠性，大大简化您的热管理设计。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的“芯”。

• 型号:STF6N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:274 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF6N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。