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您正在寻找一颗能扛起高压开关重任，同时保持高效冷静的“核心大将”吗？STB5NK52ZD-1正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有高达520V的耐压和4.4A的电流处理能力，专为要求严苛的开关电源、工业控制和功率转换应用设计。

它采用了意法半导体先进的SuperMESH技术，实现了极低的导通电阻（典型值1.5欧姆@10V），能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。其优化的栅极电荷和电容特性，还能帮助您简化驱动电路设计，轻松实现快速、干净的开关动作，从而提升整体系统的可靠性和响应速度。

• 型号:STB5NK52ZD-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 520V 4.4A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:520 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:529 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB5NK52ZD-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。