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还在为高压电路中的开关损耗和发热问题烦恼吗？让STF6N52K3来为您解决！这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有525V高耐压和仅1.2欧姆的低导通电阻，能显著降低导通损耗，提升系统整体效率，让您的电源或电机驱动设计更高效、更凉爽。

它能在高达175°C的结温下稳定工作，提供5A的连续电流能力，并凭借优化的栅极电荷实现快速开关。无论是用于开关电源、PFC电路还是工业控制，它都能让您轻松应对高压挑战，构建更可靠、更节能的功率系统。

• 型号:STF6N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:670 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF6N52K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。