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还在寻找一颗能扛起高压开关重任的“硬核”器件吗？STF5NK52ZD正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有520V的强劲漏源电压和4.4A的连续电流能力，专为高效、可靠的功率转换场景设计。它能让您的电源设计轻松应对高压输入，显著降低开关损耗，提升整体系统能效。

得益于ST先进的SuperMESH技术，它在提供低至1.5欧姆导通电阻的同时，还拥有优异的开关特性。这意味着您不仅能获得更低的功率耗散，还能实现更干净、更快速的开关控制，让您的电机驱动、电源或照明系统运行得更安静、更稳定、更高效。选择它，就是为您的产品注入一份经典而强大的动力核心。

• 型号:STF5NK52ZD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 520V 4.4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:520 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:529 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF5NK52ZD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。