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您正在为高压电源设计寻找一颗既强劲又可靠的“心脏”吗？STF5NK100Z正是您理想的伙伴。这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有高达1000V的击穿电压和3.5A的连续电流能力，让您轻松应对开关电源、电机控制等应用中的高压切换挑战。

它的核心优势在于高效与坚固。优化的导通电阻与栅极电荷特性，显著降低了开关损耗和传导损耗，从而提升整体能效，让您的设备运行更凉爽、更持久。TO-220FP封装确保了出色的散热性能，配合宽泛的工作温度范围，保障了在各种环境下的稳定表现。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重基因。

• 型号:STF5NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 欧姆 @ 1.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1154 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF5NK100Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。