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还在为高压应用中的开关损耗和散热问题头疼吗？STU7LN80K5 N沟道MOSFET正是您的理想解决方案。它基于ST先进的MDmesh技术打造，拥有800V的坚固耐压和5A的强大电流处理能力，其超低的导通电阻（Rds(on)）能显著减少功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松驾驭开关电源（SMPS）、照明镇流器、电机控制等高压高频应用。极低的栅极电荷和输入电容特性，确保了快速干净的开关动作，不仅提升了整体能效，还有助于简化您的驱动电路设计。采用坚固的TO-251（IPAK）封装，提供出色的功率耗散能力，确保在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定工作，是您打造高可靠性、高性价比产品的得力助手。

• 型号:STU7LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU7LN80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。