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您正在寻找一颗能同时兼顾高压、高效与高可靠性的功率开关吗？STD7ANM60N正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和5A的强劲电流处理能力，核心采用先进的MDmesh II技术，能显著降低导通和开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它专为汽车级(AEC-Q101)和工业级严苛应用而设计，最高结温可达150°C，确保在恶劣环境下依然稳定可靠。其优化的栅极电荷和输入电容，让您的驱动电路设计更简单，开关速度更快。选择STD7ANM60N，就是为您的产品选择了一颗强劲、耐用且易于驾驭的“动力心脏”，轻松应对各种高压功率转换挑战。

• 型号:STD7ANM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:363 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD7ANM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。