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还在为射频前端电路的功率和效率发愁吗？让PD55003-E来为您解决！这颗基于LDMOS技术的射频功率MOSFET，专为高频、高功率应用而优化，能在高达500MHz的频率下，为您稳定输出3W的强大功率，同时提供高达17dB的增益，让您的信号放大变得前所未有的高效和强劲。

它采用坚固的PowerSO-10封装，并配有裸露焊盘，散热性能卓越，确保在严苛环境下也能稳定工作。高达40V的额定电压和2.5A的额定电流，为您提供了充足的设计余量和可靠性保障。无论是构建通信链路还是驱动测试设备，PD55003-E都能让您轻松实现高性能设计，加速产品上市。

• 型号:PD55003-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:500MHz
• 增益:17dB
• 电压 - 测试:12.5 V
• 额定电流（安培）:2.5A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:50 mA
• 功率 - 输出:3W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• PD55003-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。