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还在为功率转换系统中的损耗和发热问题烦恼吗？STF42N60M2-EP正是您的高效动力核心。它凭借MDmesh M2-EP技术，在600V/34A的规格下实现了惊人的87毫欧超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行更凉爽、能效更高。

这颗芯片能轻松应对频繁开关动作，其优化的栅极电荷和电容特性让开关速度更快、损耗更低。这意味着您可以设计出更紧凑、更高效的系统，同时提升功率密度和可靠性。无论是提升现有产品性能，还是开发新一代高效设备，它都能让您游刃有余，轻松实现设计目标。

• 型号:STF42N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:87 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF42N60M2-EP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。