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您正在寻找一颗能轻松驾驭1500V高压平台，同时保持高效与低温运行的功率开关吗？STW21N150K5正是为您而来。这颗N沟道MOSFET基于ST先进的MDmesh K5技术，不仅拥有14A的连续电流能力，更将导通电阻降至惊人的900毫欧，这意味着更低的传导损耗和更高的整体效率，让您的电源或电机驱动系统跑得更快、更凉、更持久。

它卓越的开关特性（低栅极电荷Qg）让驱动设计变得异常简单，帮助您大幅削减开关损耗。结合TO-247封装带来的强大散热能力，它能稳定工作在严酷的环境下，确保系统长期可靠运行。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、高效且值得信赖的“功率之心”。

• 型号:STW21N150K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 14A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:89 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3145 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW21N150K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。