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还在为高压开关应用寻找一颗可靠、高效的“心脏”吗？STF3HNK90Z正是您期待的答案。这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有800V的高耐压和3A的电流处理能力，能轻松胜任开关电源、电机控制等场景中的高压侧开关任务。

它的核心价值在于让您的系统运行得更“冷静”、更高效。极低的导通电阻显著减少了功率损耗，而优化的动态参数（如低栅极电荷）确保了快速、干净的开关动作，从而全面提升能效。其坚固的TO-220FP封装和宽温度范围，为您提供了应对挑战环境的信心保障，是打造高性能、高可靠性电力电子设备的理想选择。

• 型号:STF3HNK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF3HNK90Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。