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还在为高压开关应用的效率瓶颈和散热难题困扰吗？让意法半导体的STP5NK80ZFP来为您破局！这颗N沟道MOSFET是您实现高效能量控制的得力助手。

它拥有800V的高耐压和4.3A的电流处理能力，配合PowerMESH技术带来的低至2.4欧姆的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。优化的开关特性（低栅极电荷和输入电容）让您能轻松设计出更高频率的电路，从而缩小磁性元件体积，节省整体空间和成本。

无论是构建紧凑的LED驱动，还是设计可靠的工业电源，STP5NK80ZFP都能以其卓越的电气性能和TO-220FP封装的良好散热特性，助您一臂之力，轻松打造出性能强劲、稳定可靠的产品。

• 型号:STP5NK80ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 欧姆 @ 2.15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:910 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP5NK80ZFP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。