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还在寻找那颗能让您的电源设计既强劲又高效的“心脏”吗？STF35N60DM2正是您期待的答案。这颗采用ST先进MDmesh DM2技术的600V/28A N沟道MOSFET，以其极低的110毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比大幅提升。

它拥有优异的动态特性，低栅极电荷（54nC @10V）确保快速干净的开关，帮助您轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，优化整体方案成本。无论是用于功率因数校正（PFC）、DC-DC转换还是电机控制，它都能让您以更高的可靠性和效率应对挑战。

其坚固的TO-220FP封装和40W的功率耗散能力，为您提供了强大的散热保障和便捷的装配体验。选择STF35N60DM2，就是为您的下一个成功产品选择了一个高效、可靠的能量控制核心。

• 型号:STF35N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 28A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF35N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。