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还在寻找能扛起高压大电流重任的功率开关吗？STF33N65M2正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh M2技术的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和24A的强大电流吞吐能力，其核心价值在于极低的导通损耗（Rds(on)仅140mΩ）与优化的动态特性，能显著提升您的电源、电机驱动或逆变器系统的整体效率，让热量更低，能量转换更纯粹。

它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力的利器。优异的栅极电荷（Qg）与电容特性让驱动设计变得轻松，有效降低开关损耗与电磁干扰。同时，其坚固的TO-220FP封装和高达150°C的结温工作能力，确保了在恶劣环境下的长期可靠运行。选择STF33N65M2，就是选择让您的设计更高效、更紧凑、更安心，轻松应对高功率密度应用的挑战。

• 型号:STF33N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1790 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:34W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF33N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。