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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效冷静的功率开关吗？STB21NM60ND正是为此而生！它集成了ST先进的FDmesh II技术，在600V的高压下，能持续通过17A电流，而其导通电阻却低至惊人水平，这意味着它能显著减少开关损耗和导通损耗，直接让您的电源或电机驱动方案运行得更凉快、更省电。

这颗芯片的强大内核，让您轻松应对诸如开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)、电机控制及工业照明等应用挑战。高达140W的功率耗散能力和150°C的结温，赋予了它卓越的可靠性和耐久性。采用坚固的D2PAK封装，散热性能优异，安装稳固，能完美融入您的自动化生产线，是实现高效、紧凑型功率设计的得力助手。

• 型号:STB21NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB21NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。