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还在为功率转换效率不高而烦恼吗？STF33N60M2正是为您破解这一难题的利器。这颗采用MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，拥有600V耐压和26A的强劲电流处理能力，其核心优势在于极低的125毫欧导通电阻，能显著减少开关损耗和发热，让您的电源设计效率更高、运行更凉爽。

它能让您轻松应对服务器电源、工业驱动、UPS和太阳能逆变器等中高功率应用的严苛要求。优异的开关特性（低栅极电荷）简化了驱动设计，而TO-220FP封装则提供了卓越的功率耗散能力（35W）和安装可靠性。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠与持久的动力源泉。

• 型号:STF33N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 26A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1781 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF33N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。