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还在寻找那颗能扛起高压大电流重任，同时保持冷静高效的“心脏”吗？STW78N65M5 N沟道功率MOSFET正是为您而来的解决方案。它凭借650V的高耐压和69A的连续电流能力，让您轻松驾驭从工业电源到新能源系统的各种严苛应用。

这颗芯片的核心价值在于其极致的效率。MDmesh V技术带来了低至32毫欧的导通电阻，显著降低了开关和导通损耗，直接为您提升系统整体能效，减少散热设计压力。同时，其优化的栅极电荷和电容特性，确保了快速干净的开关行为，让您的电源设计更稳定、更安静。

选择STW78N65M5，意味着您同时获得了汽车级（AEC-Q101）的卓越可靠性。高达450W的耗散功率和150°C的工作结温，让它无惧高温环境的考验，为您的产品提供长久稳定的动力保障，助您打造出更具市场竞争力的高性能设备。

• 型号:STW78N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 69A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):69A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:32 毫欧 @ 34.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:203 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW78N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。