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还在为高压开关应用的效率瓶颈而烦恼吗？STD7N65M2正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和5A的强大电流处理能力，旨在让您的电源设计如虎添翼。

它能为您做什么？核心在于其卓越的性能平衡：低至1.15欧姆的导通电阻配合极低的栅极电荷，让开关过程既快速又高效，显著降低导通与开关损耗。这意味着您的系统能以更低的温升实现更高的功率密度和能效，轻松满足日益严格的能效标准。无论是开关电源、电机驱动还是照明应用，它都能让您的产品运行更稳定、更节能、更具市场竞争力。

• 型号:STD7N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD7N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。