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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压、大电流挑战，同时保持高效冷静的功率开关吗？STF30NM50N正是为此而来。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和27A的强大电流通过能力，让您在设计服务器电源、工业驱动或UPS系统时，面对高压母线更加从容自信。

它的卓越之处在于，能在10V驱动下实现仅115毫欧的超低导通电阻，显著降低功率损耗，直接提升您的整机效率。同时，优化的栅极电荷特性让开关更迅捷，驱动更轻松，帮助您简化驱动电路设计，并有望提高开关频率以缩小外围元件体积。高达40W的耗散功率和150°C的工作结温，配合TO-220FP封装的良好散热性，确保它在严苛环境中也能稳定输出，让您的产品可靠性迈上新台阶。

• 型号:STF30NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 27A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:115 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:94 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2740 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF30NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。