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您是否正在寻找一颗能同时驾驭高电压与高效率的功率开关？STF30N65M5正是您的理想之选。这颗基于MDmesh V技术的650V N沟道MOSFET，以其仅139毫欧的超低导通电阻，让您轻松实现更低的传导损耗，显著提升电源转换效率。

它具备22A的强大电流处理能力，结合优化的开关特性，能有效降低系统工作温度与电磁干扰。无论是用于提升工业驱动器的可靠性，还是打造更紧凑的太阳能逆变器，STF30N65M5都能让您的设计更高效、更稳健，助您在激烈的市场竞争中赢得先机。

• 型号:STF30N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 22A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:139 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2880 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF30N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。