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想象一下，一颗能同时兼顾高功率、高效率与高可靠性的“能量开关”能为您的设计带来什么？STF30N10F7正是这样一款解决方案。它能让您在100V电压、24A电流的应用中，轻松实现极低的导通损耗，其先进的STripFET VII技术确保了出色的热性能和开关效率。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的电源转换系统运行得更凉爽、更安静，显著提升整体能效。无论是驱动电机还是管理电源，其优化的动态特性和坚固的TO-220FP封装，都让您能够构建出更紧凑、更可靠的高性能产品，从容应对各种挑战。

• 型号:STF30N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1270 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF30N10F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。