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还在寻找那颗能让您的电源设计既高效又可靠的“心脏”吗？STF27N60M2-EP正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有600V耐压和20A电流能力，其核心价值在于极低的导通损耗与出色的开关特性，能显著提升系统效率，让您的设备运行更凉爽、更节能。

得益于ST先进的MDmesh M2-EP技术，它让您在处理高功率时，轻松应对热挑战，确保系统长期稳定运行。无论是提升功率密度还是优化整体性能，它都是您实现设计目标的强大助力。

• 型号:STF27N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:163 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1320 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF27N60M2-EP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。