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还在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性与出色散热表现的功率开关吗？STF26NM60N正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和20A的强大电流吞吐能力，其核心价值在于，它能显著降低您在电源转换过程中的能量损耗。

得益于ST独有的MDmesh II技术，它实现了极低的导通电阻（Rds(on)）与优化的动态特性。这意味着，在您的服务器电源、电机驱动或照明系统中，它能以更少的发热完成功率切换任务，让您的终端产品运行更凉爽、寿命更长久、能效比更高。其TO-220FP封装设计，让散热处理变得轻松高效，助您从容应对各种高功率密度应用挑战。

• 型号:STF26NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF26NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。