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您是否正在寻找一颗能大幅提升电源效率、同时保持系统稳定可靠的核心开关器件？STFU28N65M2正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh M2技术的650V/20A N沟道MOSFET，拥有极低的180毫欧导通电阻和35nC栅极电荷，能显著降低开关损耗和传导损耗，让您的电源设计轻松实现更高的能效和功率密度。

它能让您的工业电源、电机驱动或新能源设备运行得更凉爽、更安静、更持久。其坚固的TO-220FP封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保了在恶劣环境下的卓越可靠性。选择STFU28N65M2，就是选择让复杂的高压功率转换变得简单、高效，为您的产品注入强劲而稳定的核心动力。

• 型号:STFU28N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFU28N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。