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您正在寻找一颗能扛起600V中高压、21A大电流任务的功率开关吗？STF25NM60N正是为您而来的解决方案。基于意法半导体先进的MDmesh II技术，它能让您的电源或电机驱动设计轻松实现更低的导通损耗和更高的整体效率。

这颗N沟道MOSFET拥有仅160毫欧的超低导通电阻（@10V, 10.5A），意味着在导通时发热更少，电能传递更直接。同时，其优化的栅极电荷（84nC）有助于实现快速开关，让您的系统运行更迅捷、更高效。采用坚固的TO-220FP封装，它能有效散热，确保在严苛环境下稳定工作，是提升产品可靠性和性能表现的得力助手。

• 型号:STF25NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF25NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。