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还在寻找一颗能兼顾高效开关与强劲电流处理能力的功率开关吗？STF25N10F7正是您的理想之选！这颗N沟道MOSFET拥有100V的漏源电压和高达19A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通电阻与栅极电荷。这能让您的电源转换或电机驱动系统显著降低损耗，提升整体效率，运行起来更凉爽、更安静。

它基于ST先进的STripFET VII技术打造，开关速度快，驱动简单。采用坚固的TO-220FP封装，散热性能优异，宽工作温度范围确保其在各种严苛环境下稳定工作。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重保障，让您轻松应对高要求的功率控制挑战。

• 型号:STF25N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 19A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:920 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF25N10F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。