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还在寻找一颗能同时兼顾高功率与高增益的射频核心？PD84006-E就是您期待的答案。这颗ST意法半导体的LDMOS功率晶体管，专为870MHz频段优化，能为您轻松提供高达6W的强劲输出功率，同时带来15dB的卓越信号增益，让您的射频前端设计性能立竿见影地提升。

它采用先进的PowerSO-10封装，优异的散热设计让您无需担心高负载下的稳定性问题。无论是构建专业的通信设备，还是开发高效的射频能量系统，PD84006-E都能以其7.5V工作电压、5A额定电流的可靠表现，成为您项目中高效、稳定的动力源泉。

• 型号:PD84006-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 7.5V POWERSO10
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:870MHz
• 增益:15dB
• 电压 - 测试:7.5 V
• 额定电流（安培）:5A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:150 mA
• 功率 - 输出:6W
• 电压 - 额定:25 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• PD84006-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。