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您是否正在寻找一颗能大幅提升开关电源效率、让电机驱动更强劲有力的核心开关器件？STF24N60M2正是为您而来的答案。这颗ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有600V高压和18A连续电流的强悍处理能力，其MDmesh II Plus技术带来了低至190毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。

更令人惊喜的是，它具备极低的栅极电荷和输入电容，这意味着开关速度更快、驱动更轻松，能有效降低开关损耗，提升整体频率响应。无论是用于设计更紧凑的适配器、更高效的工业电源，还是更可靠的电机控制板，它都能让您游刃有余。其坚固的TO-220FP封装和30W的功率耗散能力，确保了在-55°C到150°C的严苛环境下依然稳定工作，为您产品的长期可靠性保驾护航。

• 型号:STF24N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF24N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。