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您是否正在寻找一颗能显著提升电源效率、同时保持系统紧凑可靠的功率开关？STGB6M65DF2正是为您而来的解决方案。它集成了650V耐压与12A额定电流能力，凭借先进的沟槽场截止技术，实现了仅2V的低导通压降和极低的开关损耗，让您的电源转换系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松应对服务器电源、工业驱动、UPS等应用中的高频开关挑战。其优化的动态参数和DPak封装，不仅确保了出色的散热性能，还简化了您的PCB布局与热管理设计。选择它，就是选择了一种可靠、高效的方式，来最大化您产品的功率密度和能源利用率，助您在市场竞争中脱颖而出。

• 型号:STGB6M65DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 12A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:12 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A
• 功率 - 最大值:88 W
• 开关能量:36J（导通），200J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:21.2 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/90ns
• 测试条件:400V，6A，22 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):140 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
• STGB6M65DF2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。