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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压与高效率的功率开关吗？STF22N60M6正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh M6技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和仅230毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更节能。

它具备15A的强大电流处理能力，结合极低的栅极电荷，让您轻松实现高速开关，提升系统整体频率与功率密度。无论是用于工业电源、照明驱动还是家电产品，STF22N60M6都能提供稳定可靠的性能，简化您的设计挑战，助您快速打造出更具市场竞争力的高效能产品。

• 型号:STF22N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 15A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:230 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF22N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。