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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静高效的功率开关吗？STF21NM60ND正是为此而生！这颗采用先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和17A的电流处理能力，其核心价值在于极低的导通损耗。这意味着在您的电源、电机驱动或照明系统中，它能显著减少能量浪费，降低发热，让您的设备运行得更稳定、更节能。

它能让您轻松应对严苛的工业环境。优化的栅极电荷和开关特性，不仅提升了整体效率，还有助于简化您的驱动电路设计，减少外围元件。TO-220FP封装确保了出色的散热性能，结合高达150°C的结温工作能力，为您产品的长期可靠运行提供了坚实保障。选择STF21NM60ND，就是为您的下一个高效能设计注入一颗强劲而可靠的“心脏”。

• 型号:STF21NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF21NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。