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您是否正在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时保持冷静与高效的功率开关？STF21NM50N正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有500V的漏源电压和18A的连续漏极电流，核心优势在于其MDmesh II技术带来的极低导通电阻（仅190毫欧），能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它不仅仅关注静态性能，动态表现同样出色。优化的栅极电荷（Qg）和输入电容，确保了更快的开关速度和更低的开关损耗，让您轻松提升系统频率，实现更紧凑的磁性元件设计。无论是面对工业环境的严苛挑战，还是追求消费级产品的高性价比，STF21NM50N都能以卓越的稳定性和功率处理能力，成为您设计中值得信赖的功率核心。

• 型号:STF21NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 18A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF21NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。