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还在寻找那颗能让您的电源设计既强大又高效的“心脏”吗？STF21N65M5正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有650V的高耐压和17A的连续电流能力，配合其革命性的低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高，直接帮助您降低运营成本并提升产品可靠性。

它基于ST领先的MDmesh V技术打造，特别优化了开关特性。这意味着在频繁开关的应用中，它能以更快的速度和更低的能量损失完成状态切换，从而让您的逆变器、电机驱动器或开关电源实现前所未有的高效运行。其坚固的TO-220FP封装和宽工作温度范围，更能让您轻松应对各种严苛环境下的挑战。

• 型号:STF21N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 17A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF21N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。