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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静高效的功率开关吗？STF18NM80正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有800V的强悍耐压和17A的连续电流处理能力，让您在设计工业电源、电机驱动或UPS系统时，底气十足，轻松应对严苛的电气环境。

它的核心价值在于极低的导通损耗（RdsOn仅295毫欧）与优化的动态特性。这意味着它能显著减少能量浪费，提升整体系统效率，同时快速的开关性能有助于减小磁性元件尺寸，让您的设计更紧凑、更节能。TO-220FP封装确保了出色的散热能力，结合150°C的最高工作结温，为您的产品长期可靠运行保驾护航。

• 型号:STF18NM80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 17A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2070 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF18NM80，ST（意法半导体）产品一站式供应商。