我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STF18N60M6现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压开关应用的效率瓶颈寻找突破口吗？STF18N60M6正是您期待的答案。这颗来自意法半导体MDmesh M6系列的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和13A的电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅280毫欧@10V），能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它卓越的开关特性，如低栅极电荷和输入电容，让您能够轻松实现更高频率的开关操作，这不仅提升了动态响应，还有助于缩小外围元器件的尺寸，从而优化整体方案的成本与体积。无论是面对工业驱动、UPS电源还是光伏逆变器的挑战，STF18N60M6都能提供稳定可靠的高性能支持，助您轻松构建更具市场竞争力的产品。

• 型号:STF18N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:650 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF18N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。