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还在寻找那颗能同时兼顾高性能与高可靠性的“心脏”吗？STF18N60DM2正是为您而来！这颗基于ST先进MDmesh DM2技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和13A的强大电流承载能力，其核心价值在于为您大幅提升系统能效。超低的导通电阻意味着更少的能量损耗，让您的电源或电机驱动应用运行得更“冷静”、更持久。

它卓越的开关特性（如低栅极电荷）让您能够轻松设计出更高频率、更紧凑的电路，从而优化整体系统尺寸与成本。无论是面对工业级的严苛挑战，还是消费电子对效率的极致追求，STF18N60DM2都能让您的设计脱颖而出，以稳定可靠的表现为产品注入强大竞争力。

• 型号:STF18N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF18N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。