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还在寻找一颗能同时兼顾高效能与小巧体积的功率开关解决方案吗？STT5N2VH5 N沟道MOSFET正是您的理想之选。它基于意法半导体先进的STripFET V技术，旨在让您的设计脱颖而出。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现高效的功率转换与管理。其卓越的30毫欧低导通电阻和4.6nC的低栅极电荷，显著降低了开关损耗和传导损耗，直接提升系统整体能效，让设备运行更凉爽、电池更持久。同时，SOT-23-6的微型封装为您节省宝贵的电路板空间，非常适合空间受限的便携式应用。

无论是用于负载开关、电机驱动，还是电池保护电路，STT5N2VH5都能提供高达5A的电流处理能力和宽广的工作温度范围，确保您的应用在各种环境下稳定可靠。选择它，就是为您的产品注入高效与可靠的核心动力。

• 型号:STT5N2VH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V SOT23-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:367 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6
• STT5N2VH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。