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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压与大电流，并保持极低损耗的功率开关吗？STF18N55M5正是您的理想之选。这颗采用先进MDmesh V技术的550V/16A N沟道MOSFET，旨在让您的电源和电机驱动设计脱胎换骨。

它为您带来的核心价值是极致的高效与可靠。超低的导通电阻（Rds(on)）大幅减少了导通损耗，而优化的栅极电荷（Qg）则显著降低了开关损耗，让系统整体能效跃升新台阶。其坚固的TO-220FP封装和高达150°C的结温工作能力，确保它在严苛环境下也能稳定运行，让您轻松构建出更紧凑、更凉爽、性能更强大的终端产品。

• 型号:STF18N55M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 16A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:192 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1260 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF18N55M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。