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您正在为高压、高功率应用寻找一颗可靠的心脏吗？STF16N65M5 N沟道功率MOSFET正是为您而来！它基于意法半导体先进的MDmesh V技术，集650V高耐压与12A大电流能力于一身，让您轻松驾驭开关电源、电机驱动等苛刻场景。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的效率。它实现了极低的导通电阻（仅299毫欧）与优化的栅极电荷的出色平衡，能显著降低导通与开关损耗。这意味着您的系统将运行得更高效、更凉爽，直接帮助您提升产品能效等级并简化散热设计。其坚固的TO-220FP封装和高达150°C的结温工作能力，更为您的设备提供了持久的可靠性保障。

• 型号:STF16N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF16N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。