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还在为您的电源或电机驱动方案寻找一颗高效、可靠的“心脏”吗？STF16N60M2正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有600V的强劲耐压和12A的持续电流处理能力，能轻松驾驭开关电源、PFC及电机控制等应用，让您的系统运行更稳定、更高效。

它采用了意法半导体先进的MDmesh M2技术，实现了极低的320毫欧导通电阻，显著降低了导通损耗和发热。同时，优化的开关特性帮助您减少能量损失，提升整体能效。坚固的TO-220FP封装确保了出色的散热，配合高达150°C的工作结温，让您的设计无惧高温挑战，可靠性倍增。

• 型号:STF16N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:700 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF16N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。