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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流开关重任，同时又能保持冷静与高效的“核心引擎”吗？STF15NM60ND正是为此而生！这颗采用先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和14A的强大电流吞吐能力，能轻松应对严苛的工业环境。

它的卓越之处在于，极低的导通电阻（仅299毫欧）能显著减少导通损耗，而优化的动态参数（如低栅极电荷）让开关速度更快、损耗更低。这意味着，在您的电源、电机驱动或照明应用中，它能帮助您提升整体能效，让系统运行更凉爽、更可靠。TO-220FP封装确保了出色的功率耗散能力，让您在设计高功率密度产品时更有信心。

• 型号:STF15NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF15NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。